发明名称 一种碳60纳米晶及其制备方法
摘要 本发明属于一种一维碳60纳米晶及其制备方法。该纳米晶是一维纳米晶,其直径为10-100纳米。该碳60纳米晶是通过在碳60聚合物复合薄膜中使用可控溶剂退火诱导的原位生长制备获得的。所得到的碳60纳米晶尺寸分布均匀,其直径在10-100nm之间,在聚合物基体中分散性很好,不产生明显的聚集。尤其是所得到的碳60纳米晶体,其直径在10-100nm范围任意指定的尺寸可以人为控制并得到。本发明所制得的尺度和分散性可控的一维碳60纳米晶有着重要的应用价值,可用作有机半导体材料,光电器件、超导和磁性材料等。
申请公布号 CN101054719A 申请公布日期 2007.10.17
申请号 CN200710055355.0 申请日期 2007.02.14
申请人 中国科学院长春应用化学研究所 发明人 杨小牛;鲁广昊
分类号 C30B29/02(2006.01);C01B31/02(2006.01) 主分类号 C30B29/02(2006.01)
代理机构 长春科宇专利代理有限责任公司 代理人 马守忠
主权项 1.一种碳60纳米晶,其特征在于,该纳米晶是一维纳米晶,其直径为10-100纳米。
地址 130022吉林省长春市人民大街5625号