发明名称 半導体装置の製造方法
摘要 生産効率の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。半導体装置1の製造方法では、半導体素子3を封止する封止材7を付与し、半導体素子3と対向する金型にリリースフィルムFを設けて上金型22と下金型24とにより封止材7を硬化させる工程を含み、リリースフィルムFにおける封止材7との接触側に、電磁波を遮蔽するための金属層9を予め設け、封止材7を硬化させる工程において封止材7に金属層9を転写する。
申请公布号 JPWO2013183671(A1) 申请公布日期 2016.02.01
申请号 JP20140520028 申请日期 2013.06.05
申请人 日立化成株式会社 发明人 川守 崇司;鈴木 直也
分类号 H01L21/56;H01L23/00 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人
主权项
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