| 摘要 |
半導体装置は、第一端子及び第二端子を有しており、印加電圧が基準値を超えることによって抵抗値が変化する抵抗変化型の第一スイッチ（１０３）と、第三端子及び第四端子を有しており、第三端子が第二端子に接続して中間ノード（１０５）を形成し、印加電圧が基準値を超えることによって抵抗状態が変化する抵抗変化型の第二スイッチ１０４と、第一端子に接続している第一配線（１０１）と、第四端子に接続しており、平面視で第一配線（１０１）と交わる方向に延伸している第二配線（１０２）と、第一配線（１０１）に接続されている第一選択スイッチ素子（１０６）と、第二配線（１０２）に接続されている第二選択スイッチ素子（１０７）と、を備える。 |
