发明名称 Unebener Wafer und Verfahren zum Herstellen eines unebenen Wafers
摘要 Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Abtrennen von mindestens einem Festkörperanteil (11), insbesondere Wafer, von einem Festkörper (2). Das Verfahren umfasst mindesten die Schritte: Modifizieren des Kristallgitters des Festkörpers (2) mittels eines Modifikationsmittels (18), wobei mehrere Modifikationen (19) zum Ausbilden eines unebenen, insbesondere gewölbten, Ablösebereichs (8) im Inneren des Festkörpers erzeugt werden, wobei die Modifikationen (19) in Abhängigkeit von vorgegebenen Parametern erzeugt werden, wobei die vorgegebenen Parameter einen Zusammenhang zwischen einer Verformung des Festkörperanteils (4) in Abhängigkeit von einer definierten weiteren Behandlung des Festkörperanteils (4) beschreiben, Ablösen des Festkörperanteils (4) von dem Festkörper (2).
申请公布号 DE102015000451(A1) 申请公布日期 2016.07.21
申请号 DE20151000451 申请日期 2015.01.15
申请人 SILTECTRA GmbH 发明人 Richter, Jan
分类号 H01L21/304;B23K26/53 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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