| 摘要 |
본 발명은 가교된 혼성 유기 게이트 절연체용 고분자 조성물 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 가교된 유기절연체용 고분자 조성물은 높은 유전특성을 나타내나 절연특성이 낮은 하이드록실기를 포함하는 유기 절연체를 언하이드라이드기를 포함하는 고분자형 가교제와 반응시켜, 상기 하이드록실기의 단점을 최소화함으로써 100 nm이하의 두께에서도 높은 유전특성을 보임과 동시에 우수한 절연특성을 나타내므로 박막 트랜지스터의 유기 게이트 절연체로 유용하게 사용될 수 있다. |
