| 摘要 |
【課題】 窒化物単結晶体を成長させる装置及び方法を提供することを課題とする。【解決手段】 迅速に低転位密度の窒化物単結晶体を製造する液相エピタキシャル装置と方法であって、予備成長領域（11）と成長領域（12）とを含む反応炉が設けられており、反応炉の予備成長領域（11）が原料条件の制御特徴と機能を有し、成長領域（12）が成長動力額条件の制御特徴と機能を有し、予備成長領域（11）と成長領域（12）は遷移領域チャンバ或いは保温筒で互いに連接する。窒化物単結晶体の成長過程中、原料はまず予備成長領域で加熱・加圧・溶解し、融液内のＮの溶解濃度が過飽和状態に達した時種結晶と接触することで、効果的にＮ濃度が成長閾値に達していない時種結晶の表面で発生する多結晶成長を抑制し、窒化物単結晶体の品質を向上する。同時に、融液の種結晶上部表面における液面高低差の調整制御を通じて、融液内のＮ／Ｇａが種結晶表面において優先的に核生成して成長させることで、気液界面の多結晶形成を抑制して結晶成長速度と原料の利用率をアップする。【選択図】 図 1 |
