空乏層を備えたガラスおよびその上に構築された多結晶シリコンＴＦＴ

摘要

ＨＣｌを含有する加熱溶液でディスプレイ用ガラス基板の少なくとも１つの表面を処理することによって、ガラス基板を化学処理して、ガラス基板の表面とその表面下に空乏層を形成する方法が開示されている。本開示は、開示された方法により製造される空乏層を含有するディスプレイ用ガラス基板にも関する。その上、本開示は、ガラス基板の化学処理した表面上にＳｉ層を直接堆積させ、このＳｉ層をアニールして多結晶シリコンを形成することによって、これらのディスプレイ用ガラス基板上に薄膜トランジスタ（「ＴＦＴ」）を製造する方法に関する。