可电除和可编程序的只读存储器单元的制造方法

摘要

一种可电除和可编程序的只读存储器单元的制造方法包括：于基板上形成介电层与第一导体层，对后者蚀刻形成沟槽并填入第一绝缘层；去除其一部份形成植入窗口，利用它于基板上形成源极区域；形成掩模层并蚀刻以形成掩模；利用掩模并反应形成第二绝缘层；除去掩模和进行蚀刻于第二绝缘层下形成浮置栅结构；于其周围形成绝缘侧壁结构；形成第二导体层并蚀刻形成控制栅结构以及于基板上形成漏极区域。本发明可获得较低的程序电压与抹除电压。

主权项

1.一种可电除和可编程序的只读存储器单元的制造方法，它包括下列步骤：提供一基板；于所述基板上依序形成一隧穿介电层与一第一导体层；对所述第一导体层蚀刻形成一沟槽；于所述沟槽中填入一第一绝缘层；去除所述第一绝缘层的一部份以形成一植入窗口，并利用所述植入窗口于所述基板上形成一源极区域；于所述第一绝缘层、所述植入窗口以及所述第一导体层上形成一掩模层并对所述掩模层蚀刻以形成一掩模；利用所述掩模对所露出的所述第一导体层进行反应而形成一第二绝缘层；除去所述掩模后再对所露出的所述第一导体层进行蚀刻，以于所述第二绝缘层下形成一浮置栅结构；于所述浮置栅结构周围形成一绝缘侧壁结构；于所述第二绝缘层与所述绝缘侧壁结构上形成一第二导体层并蚀刻形成一控制栅结构；以及于所述基板上形成一漏极区域。