发明名称 发光二极管装置
摘要 本发明提供一种发光二极管装置。一LED安装在电路基片上,该LED用透明树脂层封装。一反射层设在树脂层上,用于反射和透射LED所发射的光。
申请公布号 CN100334747C 申请公布日期 2007.08.29
申请号 CN200410032426.1 申请日期 2004.03.31
申请人 株式会社西铁城电子 发明人 菊池悟;深泽孝一
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 谢喜堂
主权项 1.一种发光二极管装置,其特征在于,它包括:一电路基片(2),一安装于所述电路基片上的发光二极管(3),具有上表面、下表面、以及在上表面和下表面之间的侧壁表面的树脂层,其特征在于:下反射膜(6)被设置于电路基片的上表面和树脂层的下表面之间,反射层(5)被安装于所述树脂层(4)的上表面上,所述反射层包括透明保持板(7)和设置于所述保持板的下侧的上反射膜(8),所述上反射膜被设置为用于透射或者反射来自发光二极管的光,而所述下反射膜被设置为用于反射被上反射膜所反射的光,从而将光从树脂层的上表面或侧壁表面射出。
地址 日本山梨县