发明名称 | 一种单分散硫化铜半导体纳米颗粒的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种单分散硫化铜半导体纳米颗粒的制备方法。该制备方法是以常见的铜盐、硫化钠及N,N-二烷基二硫代甲酸盐为原料,通过简便的化学反应剂可制得单分散硫化铜半导体纳米颗粒。本发明具有原料易得,设备工艺简单、高效快速、产率高、稳定性好等特点,适合大规模工业生产。 | ||
申请公布号 | CN101077791A | 申请公布日期 | 2007.11.28 |
申请号 | CN200610042896.5 | 申请日期 | 2006.05.26 |
申请人 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 发明人 | 陈建敏;陈磊;周惠娣;万宏启 |
分类号 | C01G3/12(2006.01) | 主分类号 | C01G3/12(2006.01) |
代理机构 | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人 | 方晓佳 |
主权项 | 1、一种单分散硫化铜半导体纳米颗粒的制备方法,其特征在于该方法依次包括如下步骤:A、将铜盐水溶液或者含有十六烷基三甲基溴化铵的铜盐水溶液,在搅拌下加入含硫无机化合物水溶液,常温反应10-30分钟;其中铜盐选自硝酸铜、硫酸铜中的一种;含硫无机化合物选自硫化钠;B、加入N,N-二烷基二硫代甲酸盐的乙醇溶液,继续常温搅拌反应4-8小时;N,N-二烷基二硫代甲酸盐选自N,N-二烷基二硫代甲酸钾、N,N-二烷基二硫代甲酸钠中的一种;将反应后的产物通过分离,得到的固形物用乙醇的水溶液漂洗,然后真空烘干,所得黑色固体即为硫化铜半导体纳米颗粒。 | ||
地址 | 730000甘肃省兰州市城关区天水中路18号 |