| 发明名称 | 形成半导体器件的精细图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种形成半导体器件精细图案的方法，所述方法包括：在包含基层的半导体基板上形成第一光阻膜图案；将所述第一光阻膜图案曝光，以从所述第一光阻膜图案产生酸；将所述第一光阻膜图案漂白；以及在所述第一光阻膜图案之间形成第二光阻膜图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101145513A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200710080093.3 | 申请日期 | 2007.03.07 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑载昌;文承灿;卜喆圭;闵明子;潘槿道;林喜烈 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);G03F7/00(2006.01);G03F7/20(2006.01);G03F7/26(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件图案的方法，所述方法包括：提供包含基层的半导体基板；在所述基层上形成第一光阻图案；将所述第一光阻图案曝光，以从所述第一光阻图案产生酸；将所述第一光阻图案漂白以使所述第一光阻图案对曝光无反应；在所述基层与对曝光无反应的所述第一光阻图案上形成第二光阻膜；以及将所述第二光阻膜曝光以形成第二光阻图案，从而在所述基层上产生所述第一光阻图案和所述第二光阻图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||