发明名称 金属互连方法和金属层图形化方法
摘要 一种金属互连方法,包括:提供连接基体;在所述连接基体上形成通孔;形成覆盖所述连接基体并填充所述通孔的金属层;在所述金属层上形成有机抗反射层;形成图形化的抗蚀剂层;以图形化的抗蚀剂层为掩膜,图形化所述有机抗反射层和覆盖所述连接基体的金属层。一种金属层图形化方法,包括:提供半导体基底;在所述半导体基底上形成金属层;在所述金属层上形成有机抗反射层;形成图形化的抗蚀剂层;以图形化的抗蚀剂层为掩膜,图形化所述有机抗反射层和覆盖所述连接基体的金属层。可减少金属互连形成过程中金属层图形间沉积物的产生。
申请公布号 CN101355048A 申请公布日期 2009.01.28
申请号 CN200710044350.8 申请日期 2007.07.27
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 郭得亮
分类号 H01L21/768(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/02(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 逯长明
主权项 1.一种金属互连方法,其特征在于,包括:提供连接基体;在所述连接基体上形成通孔;形成覆盖所述连接基体并填充所述通孔的金属层;在所述金属层上形成有机抗反射层;形成图形化的抗蚀剂层;以图形化的抗蚀剂层为掩膜,图形化所述有机抗反射层和覆盖所述连接基体的金属层。
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