发明名称 |
金属互连方法和金属层图形化方法 |
摘要 |
一种金属互连方法,包括:提供连接基体;在所述连接基体上形成通孔;形成覆盖所述连接基体并填充所述通孔的金属层;在所述金属层上形成有机抗反射层;形成图形化的抗蚀剂层;以图形化的抗蚀剂层为掩膜,图形化所述有机抗反射层和覆盖所述连接基体的金属层。一种金属层图形化方法,包括:提供半导体基底;在所述半导体基底上形成金属层;在所述金属层上形成有机抗反射层;形成图形化的抗蚀剂层;以图形化的抗蚀剂层为掩膜,图形化所述有机抗反射层和覆盖所述连接基体的金属层。可减少金属互连形成过程中金属层图形间沉积物的产生。 |
申请公布号 |
CN101355048A |
申请公布日期 |
2009.01.28 |
申请号 |
CN200710044350.8 |
申请日期 |
2007.07.27 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
郭得亮 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
1.一种金属互连方法,其特征在于,包括:提供连接基体;在所述连接基体上形成通孔;形成覆盖所述连接基体并填充所述通孔的金属层;在所述金属层上形成有机抗反射层;形成图形化的抗蚀剂层;以图形化的抗蚀剂层为掩膜,图形化所述有机抗反射层和覆盖所述连接基体的金属层。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张江路18号 |