发明名称 Integrierte Leistungsanordnung mit verringertem Formfaktor und verbesserter thermischer Dissipation
摘要 Es ist eine integrierte Leistungsanordnung offenbart. Die integrierte Leistungsanordnung weist eine gedruckte Leiterplatte auf, einen ersten Leadframe, der teilweise geätzte Segmente und nicht-geätzte Segmente auf der gedruckten Leiterplatte aufweist, einen ersten Halbleiterchip, der zur Befestigung an den teilweise geätzten Segmenten des ersten Leadframes ausgebildet ist, einen zweiten Leadframe, der einen beinlosen leitenden Clip aufweist, und einen zweiten Halbleiterchip, der sich über dem ersten Halbleiterchip befindet und der über den beinlosen leitenden Clip mit dem ersten Halbleiterchip gekoppelt ist.
申请公布号 DE102015121524(A1) 申请公布日期 2016.06.16
申请号 DE201510121524 申请日期 2015.12.10
申请人 Infineon Technologies Americas Corp. 发明人 Cho, Eung San
分类号 H01L23/495;H01L25/07;H02M1/00;H05K1/18 主分类号 H01L23/495
代理机构 代理人
主权项
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