具有扩展触头的碳纳米管晶体管

摘要

一种半导体器件，包含沿着第一方向延伸以界定长度且沿着与第一方向垂直的第二方向延伸以界定高度的基板。该基板包含电介质层以及形成于电介质层上的至少一个栅极叠层。源极触头被形成于栅极叠层的第一侧的相邻处，并且漏极触头被形成于栅极叠层的相对第二侧的相邻处。碳纳米管形成于源极触头和漏极触头上。纳米管的第一部分形成源极。第二部分形成漏极。第三部分被置于源极和漏极之间，以界定沿第一方向延伸的栅极沟道。源极和漏极沿第二方向延伸，并具有比栅极沟道长的长度。

主权项

一种半导体器件，包含：沿着第一方向延伸以界定长度且沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸以界定高度的基板，所述基板包含电介质层以及形成于所述电介质层上的至少一个栅极叠层；形成于所述栅极叠层的第一侧的相邻处的源极触头以及形成于所述栅极叠层的相对第二侧的相邻处的漏极触头；以及形成于所述源极触头和所述漏极触头上的碳纳米管，所述碳纳米管包含与所述源极触头接触以形成源极的第一部分、与所述漏极触头接触以形成漏极的第二部分以及被置于所述第一部分与第二部分之间以界定沿着所述第一方向延伸的栅极沟道的第三部分，所述源极和所述漏极沿着所述第二方向延伸并且具有比所述栅极沟道的栅极长度长的长度。