发明名称 Method for fabricating light guide layer in semiconductor substate
摘要 전송 신뢰성이 향상된 도광층을 포함하는 반도체 기판의 도광층 형성방법이 제공된다. 반도체 기판의 도광층 형성방법은 반도체 기판에 트랜치를 형성하고, 트랜치 내부 및 기판 상에 피복층과 프리(pre) 도광층을 형성하되, 프리 도광층의 양측 단부 중 어느 하나의 단부만 트랜치의 내측벽과 맞닿도록 피복층과 프리 도광층을 형성하고, 기판을 열처리하여 프리 도광층을 도광층으로 형성하는 것을 포함한다.
申请公布号 KR101678967(B1) 申请公布日期 2016.11.24
申请号 KR20100097808 申请日期 2010.10.07
申请人 삼성전자 주식회사 发明人 배대록;박병률;강필규;최길현;문광진
分类号 G02B6/13;F21V8/00;G02B6/122 主分类号 G02B6/13
代理机构 代理人
主权项
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