Apparatus and method for treating a substrate

摘要

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상부가 개방된 처리 공간을 가지는 하우징 및 상기 처리 공간의 상부를 덮는 유전판을 가지는 챔버와 상기 처리 공간 내에 배치되며, 기판을 지지하는 지지 유닛과 상기 처리 공간 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과 상기 챔버의 외부에 제공되며, 상기 처리 공간 내에 상기 처리 가스로부터 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스와 그리고 상기 유전판의 온도를 조절하는 온도 조절 유닛을 포함하되 상기 온도 조절 유닛은 상기 유전판과 대향되게 배치되며, 내부 공간을 가지는 바디와 상기 내부 공간으로 온도 조절된 유체를 공급하는 유체 공급 부재를 포함하는 기판 처리 장치를 포함한다.