| 摘要 |
본 발명은 단일 벽 나노 튜브를 기반으로 한 트랜젼트 반도체의 제조 방법을 공개한다. 이 방법은 (a) 실리콘 기판 상에 열산화막을 적층하고, 상기 열산화막 상에 니켈 박막을 증착하는 단계; (b) 상기 니켈 박막 상에 산화막을 플라즈마 보조 화학적 증착시키는 단계; (c) 상기 증착된 산화막 상에 금속층을 전자 빔 증착하고, 포토 리소그래피 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계; (d) 상기 게이트 전극 상에 플라즈마 보조 화학적 증착에 의해 게이트 절연막을 증착시키는 단계; (e) 상기 게이트 절연막의 표면을 플라즈마 또는 자외선 오존 처리를 통해서 친수성으로 표면화시키고, 세정 및 건조하는 단계; (f) 상기 친수성 표면화된 게이트 절연막의 표면 상에 단일 벽 나노 튜브로 코팅하는 단계; (g) 상기 게이트 절연막을 반응성 이온 에칭하여 콘택용 개구를 생성하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; (h) 반응성 이온 에칭하여 주변의 단일 벽 나노 튜브를 제거한 후 열 박리 테이프를 부착하는 단계; (i) 염화철 용액을 이용하여 상기 니켈 박막을 에칭한 후 폴리비닐 알코올 박막 위에 전사하는 단계; 및 (j) 열판 상에 위치시켜 상기 열 박리 테이프를 박리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. |
