| 摘要 |
<p>Es wird vorgeschlagen, zur Signalübertragung zwischen Hochspannungsseite (2) und Niederspannungsseite (3) eines Halbleiter-Leistungsbauelements (1) mit einem zwischen Hochspannungsseite (2) und Niederspannungsseite (3) angeordneten REduced SURface Field (RESURF) - Gebiet (4) mindestens einen Poly-Silizium (Si) - Widerstand (5) vorzusehen, der über dem RESURF-Gebiet (4) angeordnet ist und von diesem elektrisch isoliert ist, wodurch ist, wodurch gleichzeitig eine hohe Sperrspannungsfestigkeit sichergestellt wird.</p> |
