耐高压半导体器件

摘要

一种耐高压半导体器件，包括：漏极扩散区域；与所述漏极扩散区域进行电连接的金属电极；从所述漏极扩散区域隔离开并且从基板法线方向看上去是包围所述漏极扩散区域从而以浮动状态形成在所述场绝缘膜上的多个阳极；所述金属电极的一部分在分别位于所述多个阳极上的所述层间绝缘膜上延续存在，所述金属电极的所述一部分和所述多个阳极分别相互进行容量耦合。该半导体器件即使在高温下使用，其漏极·源极之间的耐压性能也不会劣化。

主权项

1.一种耐高压半导体器件，其特征在于：包括：在第一导电型的半导体基板上形成的第二导电型的半导体区域；在所述半导体区域的中央部形成的第二导电型的漏极扩散区域；从所述漏极扩散区域隔离开并且包围所述漏极扩散区域从而在所述半导体区域内形成的所述第一导电型的机体扩散区域；在所述机体扩散区域内形成的第二导电型的源极扩散区域；在所述机体扩散区域内形成的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成的栅极；在位于所述机体扩散区域和所述漏极扩散区域之间的所述半导体区域内形成的场绝缘膜；与所述漏极扩散区域进行电接触的金属电极；从所述漏极扩散区域隔离开并且从基板法线方向看上去是包围所述漏极扩散区域从而以浮动状态形成在所述场绝缘膜上的多个阳极；在所述栅极绝缘膜以及所述场绝缘膜和所述多个阳极上形成的层间绝缘膜；和作为所述金属电极的一部分并经层间绝缘膜分别形成在所述多个阳极上的多个环形金属电极；所述多个阳极的各电极，分别相互与形成在所述多个阳极的各电极之上的所述多个环形金属电极的各电极进行容量耦合。