具有高弛豫和低堆垛层错缺陷密度的薄SGOI晶片的制作方法

摘要

一种形成绝缘体上硅锗(SGOI)结构的方法。硅锗层(104)被淀积(300)在SOI晶片(102，100)上。执行硅锗层和硅层的热混合(302)，以便形成具有高弛豫和低堆垛层错缺陷密度的厚SGOI(106)。然后将硅锗层(110)减薄(306)到所希望的最终厚度。锗浓度、弛豫量、以及堆垛层错缺陷密度不被此减薄工艺改变。从而得到具有高弛豫和低堆垛层错缺陷密度的薄的SGOI膜。然后，硅层(112)被淀积在此薄的SGOI晶片上。减薄的方法包括低温(550－700℃)HIPOX或蒸汽氧化、外延工作室中的原位氯化氢腐蚀、或CMP。用修整CMP、原位氢烘焙、以及应变硅淀积过程中的硅锗缓冲层、或利用氯化氢、DCS、以及锗烷的气体混合物在氢环境中对晶片进行加热，来整平HIPOX或蒸汽氧化减薄所引起的粗糙硅锗表面。

主权项

1.一种在具有低堆垛层错缺陷密度的绝缘体上硅锗(SGOI)结构上形成应变硅层的方法，此方法包括下列步骤：在绝缘体(100)上提供具有非应变硅层(102)的绝缘体上硅(SOI)衬底；在所述硅层上淀积(300)第一硅锗层(104)；对所述第一硅锗层与所述硅层进行热混合(302)，以便将所述第一硅锗层和所述硅层转变成弛豫的硅锗层(106)；对所述弛豫的硅锗层进行减薄(304，306)；以及在所述弛豫的硅锗层上，淀积(310)应变的硅层(112)。