| 发明名称 | 铁电体电容器、铁电体电容器的制造方法、铁电体存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可靠性良好的铁电体电容器及其制造方法。铁电体电容器(100)包括：基板(20)；形成于所述基板(20)的上方的第一电极(22)；形成于所述第一电极(22)的上方的、由用Pb(Zr，Ti)O<sub>3</sub>表示的复合氧化物构成的第一铁电体层(24)；形成于所述第一铁电体层(24)的上方的、由用Pb(Zr，Ti)<sub>1-X</sub>Nb<sub>X</sub>O<sub>3</sub>表示的复合氧化物构成的第二铁电体层(26)；以及形成于所述第二铁电体层(26)上方的第二电极(30)。 | ||
| 申请公布号 | CN100585851C | 申请公布日期 | 2010.01.27 |
| 申请号 | CN200710106713.6 | 申请日期 | 2007.05.30 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 木岛健 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01G4/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚;尚志峰 |
| 主权项 | 1.一种铁电体电容器，其特征在于，包括：基板；第一电极，形成于所述基板的上方；第一铁电体层，形成于所述第一电极的上方，由用Pb(Zr，Ti)O3表示的复合氧化物构成；第二铁电体层，形成于所述第一铁电体层的上方，是用Pb(Zr，Ti)1-xNbxO3表示的复合氧化物，并且由利用所述第一铁电体层的结晶取向性取向生长而形成的层构成，其中0.1≤x≤0.3；以及第二电极，形成于所述第二铁电体层的上方。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||