| 主权项 |
1.一种制作一非易失性存储器中的金属氧化物半导体晶体管的方法，其包含：于一阱上形成一第一掺杂区、一第二掺杂区及一第三掺杂区；于该第一掺杂区及该第二掺杂区之间形成一控制栅极；于该第二掺杂区及该第三掺杂区之间形成一浮置栅极；于该第一掺杂区及该控制栅极之间提供一第一偏压，以使该第一掺杂区及该第二掺杂区得以导通；于该第二掺杂区及该阱之间提供一第二偏压，以使该第二掺杂区及该第三掺杂区之间产生一沟道电流，以进而产生一栅极电流；若该第三掺杂区与该浮置栅极间的电压差小于一阈值，则使该浮置栅极与该第三掺杂区之间的耦合电容的增加率大于该浮置栅极与该阱、该浮置栅极与该第二掺杂区、及该浮置栅极与该控制栅极之间的耦合电容的总和的增加率或使该浮置栅极与该控制栅极之间的耦合电容的增加率大于该浮置栅极与该第三掺杂区、该浮置栅极与该阱、及该浮置栅极与该第二掺杂区之间的耦合电容的总和的增加率；以及若该第三掺杂区与该浮置栅极间的电压差大于该阈值，则使该浮置栅极与该第三掺杂区间的耦合电容的增加率小于该浮置栅极与该阱、该浮置栅极与该第二掺杂区、及该浮置栅极与该控制栅极之间的耦合电容的总和的增加率且使该浮置栅极与该控制栅极之间的耦合电容的增加率亦小于该浮置栅极与该第三掺杂区、该浮置栅极与该阱、及该浮置栅极与该第二掺杂区之间的耦合电容的总和的增加率。 |
