发明名称 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要 반도체 구조물을 제조하는 방법은, 제1 표면, 제1 표면과 대향하는 제2 표면, 및 제1 표면 위에 배치된 복수의 전도성 범프를 포함하는 제1 기판을 수용하는 단계; 제2 기판을 수용하는 단계; 제1 기판 또는 제2 기판 위에 접착제를 배치하는 단계; 접착제를 제1 분위기에서 가열하는 단계; 제1 기판 또는 제2 기판에 약 10,000N보다 적은 힘을 인가하고 접착제를 제2 분위기에서 가열함으로써, 제1 기판을 제2 기판과 본딩하는 단계; 및 제2 표면으로부터 제1 기판의 두께를 박형화하는 단계를 포함한다.
申请公布号 KR20160146461(A) 申请公布日期 2016.12.21
申请号 KR20150118898 申请日期 2015.08.24
申请人 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 发明人 칼닛츠키 알렉산더;레이 이양;왕 시칭;쿠오 청유;후앙 청룽;시에 칭후아;리우 청시;유 첸후아;쿠 친유;리아오 데두이;리우 쿠오치오;우 카이디;창 쿠오핀;양 셍핀;후앙 이삭
分类号 H01L23/488;H01L23/00;H01L23/13;H01L23/34 主分类号 H01L23/488
代理机构 代理人
主权项
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