显示器件

摘要

显示器件，包括：在基片上的第一N沟道薄膜晶体管，包括至少有第一沟道区、第二沟道区、轻掺杂区及源区和漏区的第一半导体岛；在该岛上的第一栅绝缘体；在第一沟道区上的第一栅电极，其间有第一栅绝缘体；和在第二沟道区上的第二栅电极，其间有第一栅绝缘体；包括在基片上形成的第二N沟道薄膜晶体管的驱动电路，第二薄膜晶体管包括：至少有第三沟道区的第二半导体岛；在该岛上的第二栅绝缘体；在第三沟道区上的第三栅电极，其间有第二栅绝缘体；覆盖第一、第二和第三栅电极及第一和第二半导体岛的阻挡绝缘膜；和在该膜上并电连接第一半导体岛的源区和漏区之一的像素电极，第一、第二和第三栅电极的每一个都具有锥形角在20-70度的锥形边缘。

主权项

1.一种显示器件，包括：基片；在该基片上形成的第一N沟道薄膜晶体管，所述第一N沟道薄膜晶体管包括：第一半导体岛，其至少包括第一沟道区，第二沟道区，轻掺杂区以及源区和漏区；在该第一半导体岛上形成的第一栅绝缘体；在第一沟道区上形成的第一栅电极，其间插入第一栅绝缘体；和在第二沟道区上形成的第二栅电极，其间插入第一栅绝缘体；驱动器电路，其包括在基片上形成的至少一个第二N沟道类型的薄膜晶体管，所述第二N沟道类型的薄膜晶体管包括：至少包括第三沟道区的第二半导体岛；在该第二半导体岛上形成的第二栅绝缘体；在第三沟道区上形成的第三栅电极，其间插入第二栅绝缘体；覆盖第一、第二和第三栅电极以及所述第一和第二半导体岛的阻挡绝缘膜，所述阻挡绝缘膜包括氮化硅；和在该阻挡绝缘膜上形成的并且电连接第一半导体岛的源区和漏区之一的像素电极，其中第一、第二和第三栅电极的每一个都具有锥形边缘，其锥形角在20-70度的范围内并且第一、第二和第三栅电极的每一个的厚度从内部部分向栅电极的边缘部分减小。