半导体装置的制造方法

摘要

一种在主面侧形成了具有半导体集成电路的多个半导体晶片的半导体基板上对被切割了的半导体晶片进行积层，在不同层的半导体晶片之间以可传递信号的方式进行连接，之后，对被积层了的所述半导体晶片部分进行切割的半导体装置的制造方法，其具有：第1步骤，在所述半导体基板的所述主面上形成绝缘层；第2步骤，将主面侧具有半导体集成电路的被切割了半导体晶片，以使与所述主面相反侧的面面对所述绝缘层并介由所述绝缘层的方式，在所述半导体基板上所形成的半导体晶片上进行积层；及第3步骤，形成可使不同层的半导体晶片之间进行信号传递的连接部。

主权项

一种半导体装置的制造方法，在主面侧形成了具有半导体集成电路的多个半导体晶片的半导体基板上对被划片了的半导体晶片进行积层，在不同层的半导体晶片之间以可传递信号的方式进行连接，之后，对被积层了的所述半导体晶片的部分进行划片，所述制造方法的特征在于，具有：第1步骤，将主面侧具有半导体集成电路的被划片了的半导体晶片，以使所述主面朝向支持体侧的方式临时固定在所述支持体上，形成对所述被划片了的半导体晶片的至少侧面的一部分进行密封的密封绝缘层；第2步骤，所述被划片了的半导体晶片的从所述密封绝缘层露出的所述主面相反侧的面面对所述半导体基板的主面，并介由绝缘层在所述半导体基板上所形成的半导体晶片上进行积层，然后去除所述支持体；及第3步骤，形成可使不同层的半导体晶片进行信号传递的连接部。