| 摘要 |
자가-정렬된 콘택들이 제공된다. 실 실시예에서, 자가-정렬된 콘택들은 게이트 전극 가까이로부터 제 1 유전체 물질을 부분적으로 제거하고, 게이트 전극 가까이로부터 제 2 유전체 물질을 완전히 제거함으로써 형성된다. 전도성 물질이 제거된 제 1 유전체 물질 및 제 2 유전체 물질의 영역에 증착되며, 전도성 물질 및 금속 게이트들이 스페이서 아래로 리세싱된다. 유전체 층은 리세싱된 전도성 물질 및 리세싱된 금속 게이트들 위에 증착되고, 자가-정렬된 콘택들은 유전체 층을 통해 형성된다. |
