| 发明名称 | 绝缘层上覆硅的制作方法及绝缘层上覆硅的结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种绝缘层上覆硅的制作方法，该方法包括步骤：于基材上形成多个沟槽；于这些沟槽的内侧表面以及内底表面形成氧化层；于该氧化层上形成氮化层；移除各沟槽的内底表面的所述氮化层以及氧化层；使用阳极处理使部分基材形成多孔硅层；旋转涂布介电质填满该些沟槽，该介电质覆盖于所述多孔硅层上；以及使用加热工艺使多孔硅层形成绝缘层。本发明同时提供一种按照上述方法制作得到的绝缘层上覆硅的结构。利用本发明的方法制作绝缘层上覆硅的结构，可降低成本，且制作过程快速，使生产率上升。 | ||
| 申请公布号 | CN101459052A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710196836.3 | 申请日期 | 2007.12.11 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 吴孝哲;李名言;蔡文立 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄 健 |
| 主权项 | 1、一种绝缘层上覆硅的制作方法，该方法包括步骤：于基材上形成多个沟槽；于这些沟槽的内侧表面以及内底表面形成氧化层；于该氧化层上形成氮化层；移除各沟槽的内底表面的所述氮化层以及氧化层；使用阳极处理使各沟槽下方的部分基材形成多孔硅层；旋转涂布介电质填满该些沟槽，该介电质覆盖于所述多孔硅层上；以及使用加热工艺使多孔硅层形成绝缘层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||