复合多模式等离子体表面处理装置

摘要

复合多模式等离子体表面处理装置，它涉及一种等离子体表面处理装置。针对复合表面处理工艺处理工件，工件需要在两种不同的设备上进行不同的工艺处理，工件在中间环节时暴露在大气中，形成不利的杂质，影响最终膜层性能的问题。磁控溅射靶(4)、真空阴极弧源(14)、金属离子注入源(11)、低能离子源(5)和泵组(13)固装在真空室(1)的外壁上，真空室(1)内固装有射频天线(6)，中心电极(9)的上端穿过密封绝缘件(8)装在真空室(1)内，下端与脉冲偏压电源(10)连接，高压靶台(7)固定在中心电极(9)上，真空室上盖(2)与气动装置(12)连接。本发明通过多种粒子产生手段，工件可以获得较厚的膜层，也可以获得膜层种类多样化，提高膜基结合力，实现异型工件的表面处理和多种工艺复合。

主权项

1、一种复合多模式等离子体表面处理装置，它包括真空室(1)、真空室上盖(2)、两个磁控溅射靶(4)、低能离子源(5)、射频天线(6)、高压靶台(7)、密封绝缘件(8)、中心电极(9)、脉冲偏压电源(10)、金属离子注入源(11)、底架(26)；其特征在于它还包括气动装置(12)、泵组(13)、真空阴极弧源(14)；所述真空阴极弧源(14)由一个直管真空阴极弧源(15)和一个90°弯管真空阴极弧源(16)组成，所述两个磁控溅射靶(4)、一个直管真空阴极弧源(15)、一个90°弯管真空阴极弧源(16)、一个金属离子注入源(11)、一个低能离子源(5)和一组泵组(13)固定装在真空室(1)外壁上的通孔内，真空室(1)内固装有射频天线(6)，中心电极(9)的上端穿过密封绝缘件(8)装在真空室(1)内，中心电极(9)的下端与脉冲偏压电源(10)连接，中心电极(9)与密封绝缘件(8)动配合，高压靶台(7)装在真空室(1)内且固定在中心电极(9)上，进气口(3)设置在真空室(1)的底板上，真空室上盖(2)与气动装置(12)连接，气动装置(12)和真空室(1)均固装在底架(26)上，真空室(1)和真空室上盖(2)均带有水套夹层。