一种零压烧结高密度ITO靶材工艺

摘要

本发明提供一种零压烧结高密度ITO靶材工艺，通过调整烧结时间及温度，并且对烧结气氛氧气及烧结承烧板的纯度的严格控制，缩短烧结时间从而提高生产效率，降低成本，并且提高烧结出的ITO靶材密度，制备出相对密度大于99.8%的高密度ITO靶材。

主权项

一种零压烧结高密度ITO靶材工艺，其特征在于：所述ITO靶材的制作工艺步骤为：制粉‑粉处理‑造粒‑成型‑烧结‑机加工‑绑定‑检验，其中烧结为将上一道成型工序所得到的素胚置于高温氧气烧结炉中进行烧结，所述烧结工序中所用的烧结气氛氧气，纯度为99.999%，所述烧结工序中所用的承烧板为Al₂O₃承烧板，纯度为99.99%，所述烧结的时间及温度分配如下：（一）以400℃/hr将炉温升到1000℃以上，保温10个小时，氧气流量8L/min；（二）以100℃/hr将炉温升到1200℃以上，保温6个小时，氧气流量12L/min；（三）以50℃/hr将炉温升到1450℃以上，保温4个小时，氧气流量16L/min；（四）以50℃/hr将炉温升到1600℃以上，保温20个小时，氧气流量20L/min，结束烧结。