发明名称 PROCESSING CHAMBER FOR SEMICONDUCTOR COMPONENT
摘要 본 발명에 따른 반도체 부품 공정처리 챔버장치는 내부에 반도체 부품을 수용하기 위한 제 1 하우징부재와, 상기 제 1 하우징부재의 하부에 설치되는 제 2 하우징부재와, 상기 제 1 하우징부재의 전면을 개폐하기 위한 제 1 개폐부재와, 상기 제 2 하우징부재의 전면을 개폐하기 위한 제 2 개폐부재와, 상기 제 1 하우징부재와 제 2 하우징부재 내부에 각각 설치되는 히터부재와, 상기 제 1 하우징부재와 제 2 하우징부재 내부에 각각 설치되는 필터부재와, 상기 제 1 하우징부재와 제 2 하우징부재 내부에 각각 설치되는 승압부재를 포함하며, 상기 제 1 하우징부재와 제 2 하우징부재는 육면체 형상으로 형성되어, 상하 방향으로 연속 설치되고, 상기 제 1 개폐부재는 상기 제 1 하우징부재에 대해 상방으로 슬라이딩됨으로써 상기 제 1 하우징부재를 개방하고, 하방으로 슬라이딩됨으로써 상기 제 1 하우징부재를 폐쇄하며, 상기 제 2 개폐부재는 상기 제 2 하우징부재에 대해 하방으로 슬라이딩됨으로써 상기 제 2 하우징부재를 개방하고, 상방으로 슬라이딩됨으로써 상기 제 2 하우징부재를 폐쇄하도록 구성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의해, 고압 상태에서도 공정챔버가 용이하게 변형되지 않도록 할 수 있다. 또한, 반도체 부품의 공정 처리 수율을 향상시킬 수 있으면서도 공정챔버를 공간 효율적으로 컴팩트하게 설치할 수 있으며, 챔버 내부를 청정한 상태로 유지할 수 있으면서도, 공정 수행 이후에는 챔버 내부의 온도를 신속히 하강시킬 수 있다.
申请公布号 KR101613717(B1) 申请公布日期 2016.04.22
申请号 KR20140018094 申请日期 2014.02.17
申请人 (주) 예스티 发明人 함영준;김승룡;김정의
分类号 H01L21/02;H01L21/324 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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