| 发明名称 | 成膜方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种成膜方法，重复进行1次以上由向在处理容器内被加热到成膜温度的半导体晶片供给TiCl<SUB>4</SUB>气体和NH<SUB>3</SUB>气体、通过CVD形成由TiN构成的膜的第一步骤、和停止供给TiCl<SUB>4</SUB>气体、供给NH<SUB>3</SUB>气体的第二步骤构成的循环，在半导体晶片上形成规定厚度的TiN膜，成膜时的半导体晶片的温度低于450℃，处理容器内的总压力高于100Pa，第一步骤中的处理容器内的NH<SUB>3</SUB>气体的分压为30Pa以下。 | ||
| 申请公布号 | CN1906736A | 申请公布日期 | 2007.01.31 |
| 申请号 | CN200580001444.6 | 申请日期 | 2005.01.14 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 长谷川敏夫 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01);C23C16/34(2006.01);C23C16/52(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L27/108(2006.01) | 主分类号 | H01L21/285(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种成膜方法，重复进行1次以上由向在处理容器内被加热到成膜温度的被处理基板供给金属化合物气体和含氮还原气体、通过CVD形成由金属氮化物构成的膜的第一步骤、和停止供给所述金属化合物气体、供给所述含氮还原气体的第二步骤构成的循环，在所述被处理基板上形成规定厚度的金属氮化膜，其特征在于：将成膜时的所述被处理基板的温度设为低于450℃，将所述处理容器内的总压力设为高于100Pa，将所述第一步骤中的所述处理容器内的含氮还原气体的分压设为30Pa以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||