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1. 一种用于半导体制造的激光退火设备，其特征在于，所述激光退火设备以准分子激光器提供准分子脉冲激光源，包括具有激光光束的扩束、匀束、边沿处理的光路，二维精确移动平台，预加热控温片台，以及整机自动控制系统构成能实现超浅结半导体激光退火设备。所述准分子脉冲激光源的单脉冲能量为500mJ～1.5J，波长位于193nm～308nm区间，脉宽在几十纳秒量级，重复频率10～1000Hz。所述准分子激光器出射激光经扩束、整形后，束斑面积扩至0.2cm×0.2cm～3.5cm×3.5cm(视具体产品芯片的面积可调)；经过匀束后，有效退火束斑内的光强均匀性得到提升，至不均匀度≤5％；又由边沿处理系统，将束斑边缘不均匀的部分控制在10μm以内。在实际退火时，光束边缘不均匀的部分，是落在划片槽之内的，因此不影响正式电路元器件的退火效果。所述预加热控温片台，从背面对放置于片台之上晶圆片实施均匀加热，控温范围为300～600℃；加热部分通过隔热材料与片台的其余部分实施热隔离；在晶圆片上方配置隔离罩，隔离罩内部可以抽真空或通入工艺气体；在隔离罩顶部是对准分子激光透明的窗，允许退火激光透过并辐照晶圆片上的某个退火场；片台可带动晶圆片做适度旋转，以补偿晶圆片初始放置位置相对于激光束运动方向的旋转偏差。所述二维精确移动平台上安装X、Y镜面，激光束入射到X、Y镜面上，X、Y镜面随二维精确移动平台运动，因而实现光束在晶圆片表面的选区退火。所述整机自动运行系统，控制激光器开放/切断快门的动作，以及二维平台在退火阶段的移动，需要取得对激光触发脉冲的同步；而加热控温则是连续性的，无需同步；该整机自动运行系统协调激光器，光束处理系统，片台，二维精确移动平台各自的动作状态，使得整机协同工作，共同完成超浅结激光退火的工艺过程。 |
