| 发明名称 | 套准标记及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及集成电路制造中的光刻套准。为了解决目前集成电路制造中，由于介质层或金属层的覆盖导致的套准标记形貌不清晰的问题，本发明公开了一种套准标记及其制造方法。本发明提供的套准标记的制造方法包括步骤：在硅片衬底的介质层上形成第一套准标记；在所述第一套准标记的正上方形成至少一层第二套准标记。本发明提供的套准标记包括：在硅片衬底的介质层上形成有第一套准标记；在所述第一套准标记的正上方形成有至少一层第二套准标记。本发明用于集成电路制造中的光刻套准，尤其是DMOS管的光刻套准。 | ||
| 申请公布号 | CN101587824A | 申请公布日期 | 2009.11.25 |
| 申请号 | CN200810112186.4 | 申请日期 | 2008.05.21 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 谢丁生;潘川;方绍明;刘鹏飞;马万里;潘光然 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人 | 申 健 |
| 主权项 | 1、一种套准标记的制造方法，其特征在于，包括步骤：在硅片衬底的介质层上形成第一套准标记；在所述第一套准标记的正上方形成至少一层第二套准标记。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||