| 摘要 |
Cellule mémoire (100) de type SRAM, comportant des transistors de mémorisation (106, 108) formant un point mémoire (110) de mémorisation d'un bit et un port de lecture (114) comprenant au moins un transistor MOS (122), un transistor TFET (124), une borne d'alimentation (105) et une ligne de bit de lecture (126) dont un potentiel est destiné à varier selon la valeur du bit mémorisé, et tel que : - la grille du transistor MOS est reliée au point mémoire, et la grille du transistor TFET est apte à recevoir un signal de commande de lecture ; - une première électrode du transistor MOS est reliée à la borne d'alimentation ; - une deuxième électrode du transistor MOS est reliée à une première électrode du transistor TFET ; - une deuxième électrode du transistor TFET est reliée à la ligne de bit de lecture. |
