发明名称 硅纳米线光电化学太阳能电池
摘要 本发明公开了一种属于太阳能电池技术领域的硅纳米线阵列太阳能电池装置。其特征在于所述电解质溶液层和n型硅基底之间是n型硅纳米线阵列层。所述太阳能电池含有依次相叠的各层为:透光玻璃层,其作用是透过太阳光;透明氧化铟锡导电薄膜层,作为引出电极;石墨层,作为辅助电极;绝缘封闭层,其作用是防止电解质溶液泄漏;电解质溶液,其作用是传递电荷;n型硅纳米线阵列层,位于n型硅基底之上,作为太阳能电池的光活性层;n型硅基底层,作为太阳能电池的基区;Ti/Pd/Ag金属膜欧姆接触电极层,作为引出电极。本发明提供的这种具有新型结构的太阳能转换装置,光吸收能力强,光电转换效率高。
申请公布号 CN101262019A 申请公布日期 2008.09.10
申请号 CN200810084205.7 申请日期 2008.03.26
申请人 北京师范大学 发明人 彭奎庆
分类号 H01L31/04(2006.01);H01L51/42(2006.01);H01G9/20(2006.01);H01M14/00(2006.01) 主分类号 H01L31/04(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1. 硅纳米线光电化学太阳能电池,它含有透光玻璃、透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜层、石墨层、绝缘封闭层、电解质溶液、n型硅纳米线阵列层、n型硅基底层、Ti/Pd/Ag金属膜欧姆接触电极层,其特征在于:所述太阳能转换装置含有依次相叠的下述各层,(1)透光玻璃层,其作用是透过太阳光;(2)透明ITO导电薄膜层,其作用是为引出电极;(3)石墨层,其作用是作为辅助电极;(4)绝缘封闭层,其作用是防止电解质溶液泄漏;(5)电解质溶液,其作用是传递电荷;(6)n型硅纳米线阵列层,位于n型硅基底之上,作为太阳能电池的光活性层;(7)n型硅基底层,位于Ti/Pd/Ag金属膜电极之上,其作用是作为太阳能电池的基区;(8)Ti/Pd/Ag金属膜欧姆接触电极层,其作用是作为引出电极。其主要特征在于电解质溶液层和n型硅基底之间是n型硅纳米线阵列层。
地址 100875北京市新街口外大街19号能核物理研究所
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