| 摘要 |
Ein Verfahren beinhaltet das Ausbilden von Gräben in einem Halbleitersubstrat durch Ätzen des Halbleitersubstrats; und dann Ausbilden einer ersten Ioneninjektionsschicht in Seitenwänden der Gräben bei einem aktiven Gebiet des Halbleitersubstrats; und dann Ausbilden einer zweiten Ioneninjektionsschicht in einer sich im Wesentlichen horizontal erstreckenden Oberfläche des aktiven Gebiets, das sich zwischen den Gräben befindet; und dann Ausführen einer Schwellspannungs-Regulierungs-Implantation auf mindestens dem aktiven Gebiet, wobei die erste Ioneninjektionsschicht und die zweite Ioneninjektionsschicht bei einem Bereich des aktiven Gebiets überlappen, um den überlappenden Bereich mit einer höheren Dotierungskonzentration als ein nicht-überlappender Bereich des aktiven Gebiets zu versehen; und dann Ausbilden einer Gatestruktur auf dem aktiven Gebiet. Da die Ionendotierungskonzentration der Oberfläche eines aktiven Gebiets zwischen Isolationsschichten vollkommen einheitlich ist, fließt ein elektrischer Strom gleichförmig durch die gesamte Oberfläche, um Leckstrom zu verhindern, die Zuverlässigkeit zu verbessern und die Lebensdauer des Flash-Speicher-Bausteins zu verlängern.
|
