发明名称 Flash memory device performing adaptive loop Memory system and Operating method thereof
摘要 적응적인 루프를 수행하는 플래시 메모리 장치, 메모리 시스템 및 그 동작방법이 개시된다. 본 발명의 기술적 사상에 따른 메모리 장치의 동작방법은, 프로그램/소거 사이클을 검출하는 단계와, 상기 검출 결과에 따라, 프로그램 루프 횟수에 관련된 설정값을 변경하는 단계와, 기록 커맨드 수신에 따라, 하나 이상의 프로그램 루프를 수행함에 의해 데이터를 프로그램하는 단계 및 상기 변경된 설정값에 기반하여 프로그램 패스/페일 여부를 판정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
申请公布号 KR20160150553(A) 申请公布日期 2016.12.30
申请号 KR20150088722 申请日期 2015.06.22
申请人 삼성전자주식회사 发明人 심영섭;김재홍
分类号 G11C16/10;G06F12/02;G11C16/14;G11C16/34 主分类号 G11C16/10
代理机构 代理人
主权项
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