发明名称 |
存储器的晶体管结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及存储器的晶体管结构及其制造方法。一种存储器,包括从半导体衬底突出的有源区。凹槽形成于有源区中。场氧化物层形成于该半导体衬底上。栅极电极114跨过该有源区延伸并与该凹槽重叠。栅极绝缘层置于栅极电极和有源区之间。源极和漏极区形成于该有源区中。如果沿着源极-漏极线截取上述晶体管结构,则其定义凹式晶体管结构,如果沿着栅极线截取该晶体管结构,则其定义鳍式晶体管结构。此晶体管结构能够确保足够的数据保持时间并且改善电流驱动能力,同时降低阈值电压的反偏压依赖性。 |
申请公布号 |
CN100456495C |
申请公布日期 |
2009.01.28 |
申请号 |
CN200510092131.8 |
申请日期 |
2005.08.19 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
张世亿;金龙洙;吴在根;卢载盛;孙贤哲 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8239(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
李晓舒;魏晓刚 |
主权项 |
1.一种包括晶体管的存储器,所述晶体管结构包括:有源区,从半导体衬底的预定部分突出;凹槽,形成于设置在所述有源区中的沟道区中;场氧化物层,形成于所述半导体衬底之上,所述场氧化物层定位为低于所述凹槽处的所述有源区的上表面;栅极电极,跨过所述有源区的上面部分延伸并且与所述凹槽重叠;栅极绝缘层,置于所述栅极电极和所述有源区之间;及源极和漏极区,每个形成于所述栅极电极一侧处的所述有源区中。 |
地址 |
韩国京畿道 |