| 发明名称 | 采用电子束蒸发方式制备HfO<sub>2</sub>纳米晶的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用电子束蒸发方式制备HfO<sub>2</sub>纳米晶的方法，该方法包括：在衬底上生长二氧化硅层；采用电子束蒸发方式将HfO<sub>2</sub>粉末和二氧化硅粉末的混合物共同蒸发至该二氧化硅层上；高温快速热退火。采用该方法制备的HfO<sub>2</sub>量子点颗粒的直径大小约为4至8nm，可用于浮栅存储器的制作等。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、易于大规模制造、能与传统的微电子工艺兼容的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101459085A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710179371.0 | 申请日期 | 2007.12.12 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李维龙;贾锐;陈晨;刘明;陈宝钦;龙世兵;谢常青;王琴;涂德钰 |
| 分类号 | H01L21/363(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/363(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种采用电子束蒸发方式制备HfO2纳米晶的方法，其特征在于，该方法包括：在衬底上生长二氧化硅层；采用电子束蒸发方式将HfO2粉末和二氧化硅粉末的混合物共同蒸发至该二氧化硅层上；高温快速热退火。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||