| 发明名称 | 具有沟槽式电容器的半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其中所述半导体装置具有布置在衬底(1)上的集成电路(2)。所述集成电路(2)构造在所述衬底的前面且至少一个电容器(20)连接到所述集成电路，其特征在于，所述至少一个电容器被设计为沟槽(3)中的单纵深结构。所述沟槽被布置在至少一个第一组和至少一个第二组中，一个组的沟槽彼此大体平行，且所述第一组和所述第二组彼此成一角度，彼此大体成直角。 | ||
| 申请公布号 | CN101636826A | 申请公布日期 | 2010.01.27 |
| 申请号 | CN200880005689.X | 申请日期 | 2008.02.20 |
| 申请人 | 弗劳恩霍弗应用技术研究院 | 发明人 | N·马伦科 |
| 分类号 | H01L21/334(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/334(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，具有布置在衬底(1)上的集成电路(2)，其中，所述集成电路(2)被构造在所述衬底的前侧，并且所述集成电路(2)连接有至少一个电容器(20)，并且所述至少一个电容器形成在所述衬底(1)的背面，为沟槽(3)中的单纵深结构，其特征在于：存在至少两个沟槽(3)，并且设置有第一组平行沟槽(21)和第二组平行沟槽(22)，其中，所述第二组的沟槽(22)相对于所述第一组的沟槽(21)呈横向布置，优选是与所述第一组的沟槽(21)垂直布置。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||