发明名称 UPPER DOME WITH INJECTION ASSEMBLY
摘要 본 명세서에 제공된 실시예들은 일반적으로 반도체 처리 챔버에 가스를 전달하기 위한 장치에 관한 것이다. 에피택셜 반도체 처리 챔버의 상부 석영 돔은 내부에 형성된 복수의 홀을 갖고, 프리커서 가스들은 상부 돔의 홀들을 통해 챔버의 처리 용적 내로 제공된다. 가스 전달 튜브들은 돔 내의 홀들로부터 플랜지 플레이트까지 연장되고, 거기서 튜브들은 가스 전달 라인들에 결합된다. 가스 전달 장치는 가스들이 석영 상부 돔을 통해 기판 위의 처리 용적에 전달되는 것을 가능하게 한다.
申请公布号 KR20160121563(A) 申请公布日期 2016.10.19
申请号 KR20167025115 申请日期 2015.01.28
申请人 APPLIED MATERIALS, INC. 发明人 BRILLHART PAUL;CHANG ANZHONG;TONG EDRIC;LO KIN PONG;MACK JAMES FRANCIS;YE ZHIYUAN;SHAH KARTIK;SANCHEZ ERROL ANTONIO C.;CARLSON DAVID K.;KUPPURAO SATHEESH;RANISH JOSEPH M.
分类号 H01L21/02;C30B25/08;C30B25/10;C30B25/14;H01L21/67 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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