METHOD FOR PRODUCING INTEGRATED CIRCUITS PROVIDED WITH SILICON- GERMANIUM HETERO-BIPOLAR TRANSISTORS,申请号EP20060704267-传众专利搜索

发明名称	METHOD FOR PRODUCING INTEGRATED CIRCUITS PROVIDED WITH SILICON- GERMANIUM HETERO-BIPOLAR TRANSISTORS
摘要
申请公布号	EP1844493(A1)	申请公布日期	2007.10.17
申请号	EP20060704267	申请日期	2006.01.27
申请人	ATMEL GERMANY GMBH	发明人	BRANDL, PETER
分类号	H01L21/331;H01L29/737	主分类号	H01L21/331
代理机构		代理人
主权项
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