Magnetic Tunnel Junction device method of manufacturing the same and electronic device comprising the same

摘要

자기터널접합 소자 및 그 제조방법과 자기터널접합 소자를 포함하는 전자소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 핀드층과 자유층 중 적어도 한 층에 비정질의 수직 자기 이방성(Perpendicular Magnetic Anisotropy) 물질을 포함하는 다층(multilayer)이 구비된 수직 자기터널접합 소자가 개시되어 있다. 상기 핀드층은 순차적으로 적층된 적어도 한 쌍의 물질층을 포함할 수 있다. 상기 한 쌍의 물질층은 순차적으로 적층된 비정질 제1 희토류 전이금속(RE-TM)층과 비정질 제2 희토류 전이금속층일 수 있다.