发明名称 (NH<SUB>4</SUB><SUP>+</SUP>)<SUB>x</SUB>MoS<SUB>2</SUB>插层化合物及其制备方法
摘要 本发明公开了一种(NH<SUB>4</SUB><SUP>+</SUP>)<SUB>x</SUB>MoS<SUB>2</SUB>插层化合物,式中x值为0.2~3.0。其制备方法是首先利用正丁基锂对二硫化钼进行插层,得到锂插层二硫化钼,然后采用水剥层制备了二硫化钼悬浮液,并在氯化铵溶液中插层制备了(NH<SUB>4</SUB><SUP>+</SUP>)<SUB>x</SUB>MoS<SUB>2</SUB>插层化合物,本产品可作为一种良好的固体润滑材料,也可与碱溶液共热得到单层二硫化钼。本发明解决了单层二硫化钼的储存问题,得到了稳定的(NH<SUB>4</SUB><SUP>+</SUP>)<SUB>x</SUB>MoS<SUB>2</SUB>插层化合物,本发明的插层化合物是一种灰黑色粉末状固体,在机械、电子、航空航天、化工、材料等固体润滑领域有着重要的应用价值。
申请公布号 CN101024516A 申请公布日期 2007.08.29
申请号 CN200710019872.2 申请日期 2007.01.30
申请人 合肥工业大学 发明人 胡献国;周宇;徐玉福;刘敏
分类号 C01G39/02(2006.01) 主分类号 C01G39/02(2006.01)
代理机构 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 代理人 何梅生
主权项 1、一种(NH4 +)xMoS2插层化合物,其特征在于:所述化合物中x的值为:0.2~3.0。
地址 230009安徽省合肥市屯溪路193号