发明名称 | (NH<SUB>4</SUB><SUP>+</SUP>)<SUB>x</SUB>MoS<SUB>2</SUB>插层化合物及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种(NH<SUB>4</SUB><SUP>+</SUP>)<SUB>x</SUB>MoS<SUB>2</SUB>插层化合物,式中x值为0.2~3.0。其制备方法是首先利用正丁基锂对二硫化钼进行插层,得到锂插层二硫化钼,然后采用水剥层制备了二硫化钼悬浮液,并在氯化铵溶液中插层制备了(NH<SUB>4</SUB><SUP>+</SUP>)<SUB>x</SUB>MoS<SUB>2</SUB>插层化合物,本产品可作为一种良好的固体润滑材料,也可与碱溶液共热得到单层二硫化钼。本发明解决了单层二硫化钼的储存问题,得到了稳定的(NH<SUB>4</SUB><SUP>+</SUP>)<SUB>x</SUB>MoS<SUB>2</SUB>插层化合物,本发明的插层化合物是一种灰黑色粉末状固体,在机械、电子、航空航天、化工、材料等固体润滑领域有着重要的应用价值。 | ||
申请公布号 | CN101024516A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
申请号 | CN200710019872.2 | 申请日期 | 2007.01.30 |
申请人 | 合肥工业大学 | 发明人 | 胡献国;周宇;徐玉福;刘敏 |
分类号 | C01G39/02(2006.01) | 主分类号 | C01G39/02(2006.01) |
代理机构 | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人 | 何梅生 |
主权项 | 1、一种(NH4 +)xMoS2插层化合物,其特征在于:所述化合物中x的值为:0.2~3.0。 | ||
地址 | 230009安徽省合肥市屯溪路193号 |