Oberflächenbehandlung von kohlenstoffdotierten SiO2-Filmen zur Erhöhung der Stabilität während der O2-Veraschung,申请号DE19996040114-传众专利搜索

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发明名称	Oberflächenbehandlung von kohlenstoffdotierten SiO2-Filmen zur Erhöhung der Stabilität während der O2-Veraschung
摘要
申请公布号	DE69940114(D1)	申请公布日期	2009.01.29
申请号	DE19996040114	申请日期	1999.08.17
申请人	APPLIED MATERIALS INC.	发明人	XIA, LI-QUN;GAILLARD, FREDERIC;LIM, TIAN-HOC;YIEH, ELLIE
分类号	H01L21/314;C23C16/02;C23C16/40;C23C16/56;H01L21/3105;H01L21/316	主分类号	H01L21/314
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