基于未知材料基板的微波在片测试方法

摘要

本发明涉及的是一种基于未知材料基板的微波元件在片测试方法。首先在基板上制备适合于微波在片测试的TRL校准件、开路谐振器及待测元件；然后用TRL校准方法校准微波在片测试系统；再用校准好的微波在片测试系统测试开路谐振器的谐振点；根据测量所得的谐振点计算基板等效介电常数、传输线阻抗；测量待测元件的S参数，S参数的参考阻抗即上一步骤中得到的阻抗；最后采用S参数阻抗变换的方法得到50Ω阻抗的标准S参数。优点：通过开路谐振器测试可以求出TRL校准件的系统阻抗，结合标准的TRL校准不仅可以在材料特性未知的情况下对微波元件进行在片测试，而且可以结合场分析的方法求出材料的真实特性。

主权项

1、基于未知材料基板的微波在片测试方法，其特征是该方法包括如下步骤：一、在基板上采用集成电路薄膜工艺或厚膜工艺制备适合于微波在片测试的TRL校准件、开路谐振器及待测元件；二、用矢量网络分析仪的TRL全双端口校准功能校准微波在片测试系统；三、将开路谐振器连接至校准好的微波在片测试系统，在矢量网络分析仪中读出开路谐振器的散射参数，包括反射参数和传输参数，传输参数幅值的差分曲线的第一过零点就是开路谐振器的谐振点，这一点所在的频率就是开路谐振器的谐振频率；四、根据测量所得的谐振频率计算基板等效介电常数、传输线阻抗；五、将待测元件连接至校准好的微波在片测试系统，在矢量网络分析仪中读出开路谐振器的散射参数，散射参数的参考阻抗即步骤四中得到的阻抗；六、采用散射参数阻抗变换的方法得到50Ω阻抗的标准散射参数。