一种垂直结构LED芯片制备方法

摘要

本发明公开了一种垂直结构LED芯片制备方法，包括以下步骤：1)在异质衬底上利用外延生长方法获得具有LED结构的LED外延层；2)在LED外延层的上表面上利用激光加工出多道交错的沟槽，形成柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域；3)在LED外延层上依次制备得到欧姆接触层、第一键合材料层，在键合衬底上制备得到第二键合材料层；4)将LED外延层上的第一键合材料层与键合衬底上的第二键合材料层键合在一起，然后利用激光剥离方法去除异质衬底；5)将剥离后的LED外延层刻蚀至N-GaN表面，用湿法腐蚀工艺将柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域和LED外延层有效区域外氮化镓材料去除，最后完成钝化层和N电极制备，得到垂直结构LED芯片。

主权项

一种垂直结构LED芯片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在异质衬底(10)上利用外延生长方法获得具有LED结构的LED外延层(11)；2)在LED外延层(11)的上表面上利用激光加工出多道交错的沟槽(12)，形成柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域(13)；3)在LED外延层(11)上依次制备得到欧姆接触层(14)、第一键合材料层(15)，在键合衬底(20)上制备得到第二键合材料层(16)；4)将LED外延层(11)上的第一键合材料层(15)与键合衬底(20)上的第二键合材料层(16)键合在一起，然后利用激光剥离方法去除异质衬底(10)；5)将剥离后的LED外延层(11)刻蚀至N‑GaN表面，用湿法腐蚀工艺将柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域(13)和LED外延层(11)有效区域外氮化镓材料去除，最后完成钝化层和N电极制备，得到垂直结构LED芯片。