晶体管、具有该晶体管的半导体装置和它们的制造方法

摘要

本发明的名称为晶体管、具有该晶体管的半导体装置和它们的制造方法。目的之一在于在具有氧化物半导体层的晶体管或具有该晶体管的半导体装置中抑制电特性的退化。在将氧化物半导体用作沟道层的晶体管中，接触于氧化物半导体层的表面地设置有硅层。另外，至少接触于氧化物半导体层中的形成沟道的区域地设置有硅层，而且接触于氧化物半导体层中的不设置有硅层的区域地设置有源电极层及漏电极层。

主权项

一种晶体管，包括：栅电极；在所述栅电极上的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上且重叠于所述栅电极的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层的表面上且接触于所述氧化物半导体层的表面的硅层；以及接触于所述氧化物半导体层的源电极层及漏电极层，其中在重叠于所述氧化物半导体层的区域中，所述源电极层和所述漏电极层的宽度大于所述氧化物半导体层的宽度，其中所述源电极层及所述漏电极层设置在不设置有所述硅层的所述氧化物半导体层的所述表面的至少一部分上且接触于不设置有所述硅层的所述氧化物半导体层的所述表面的至少一部分，以及其中所述硅层的结晶状态为非晶硅、微晶硅和多晶硅中的一种或多种。