发明名称 CMP COMPOSITION FOR TUNGSTEN CMP
摘要 텅스텐 층을 갖는 기판을 연마하기 위한 화학적 기계적 연마 조성물은 수계 액체 담체, 액체 담체에 분산되어 있고 적어도 6 mV의 영구 양전하를 갖는 콜로이드성 실리카 마모제, 액체 담체 중의 용액으로의 아민 함유 중합체, 및 철 함유 촉진제를 포함한다. 텅스텐 층을 포함하는 기판의 화학적 기계적 연마 방법은 기판을 상기에 기재된 연마 조성물과 접촉시키고, 연마 조성물을 기판에 대하여 상대적으로 움직이게 하고, 기판을 마모시켜 기판으로터 텅스텐의 일부를 제거함으로써 기판을 연마하는 것을 포함한다.
申请公布号 KR20160132425(A) 申请公布日期 2016.11.18
申请号 KR20167027744 申请日期 2015.03.09
申请人 CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION 发明人 GRUMBINE STEVEN;DYSARD JEFFREY;FU LIN;WARD WILLIAM;WHITENER GLENN
分类号 C09G1/02;B01J23/745;C09K3/14 主分类号 C09G1/02
代理机构 代理人
主权项
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