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Verfahren zur Herstellung eines opto-elektronischen Halbleiterbauelements (2, 27) mit einem Schichtenstapel (1, 26), der eine Metallisierungsstruktur (7, 7'), mit Kontaktierungsstelle (8, 11) zum elektrischen Kontaktieren des Halbleiterbauelements (2, 27) aufweist. Eine dielektrische Schicht (12) und eine Halbleiterschicht (3) sind auch vorgesehen. Die Halbleiterschicht (3) umfasst einen funktionalen Bereich (6), der als Schnittstelle für eine elektromagnetische(sichtbare oder UV-)Strahlung ausgebildet ist. Material in Bereichen (17, 20) über der Kontaktierungsstelle (8, 11) und über dem funktionalen Bereich (6) des Schichtenstapels (1, 26) wird durch ein zeitlich gemeinsames Ätzen entfernt, wodurch zwei Fenster (24, 18) zur Kopplung des Halbleiterbauelements (2, 27) mit der Umgebung gebildet werden, sowohl optisch als auch elektrisch. Die Erfindung erreicht es, die Einkoppelungs- und/oder Absorptionsverluste der optisch auszuwertenden Strahlung in CMOS-Silizium oder andere Halbleiter bei geringem Prozessaufwand zu verringern. |
